英雄联盟投注,英雄联盟,英雄联盟下注,LOL投注官网,英雄联盟赛事投注,英雄联盟下注,英雄联盟电竞,英雄联盟投注网站,LOL,英雄联盟赛事,LOL投注,LOL赛事下注,LOL投注网站,lol下注平台
专利摘要显示，本申请涉及半导体材料加工技术领域，更具体地说，它涉及一种激光切割半导体材料的方法和设备，包括对半导体材料整体进行加热处理，以提高材料的可加工性；随后，利用激光对半导体材料内部进行隐形切割，通过激光聚焦在材料内部形成改质层，而不损伤材料表面；切割完成后，停止加热并对改质层对应的表面进行冷却，利用冷热温差产生的应力辅助断裂；最后，在改质层处施加外力，使半导体材料沿改质层精确断裂，形成独立的晶粒。通过上的技术方案，有效避免了传统切割方法中的崩边、分层和表面损伤问题，显著提高了切割质量和效率。
